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CVD管式爐的制備條件說明

更新時(shí)間:2020-01-03    點(diǎn)擊次數(shù):8281
  CVD管式爐特點(diǎn):
 
  淀積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時(shí)間成正比,均勻性,重復(fù)性好,臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。
 
  制備的必要條件
 
  1) 在沉積溫度下,反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓,并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室;
 
  2) 反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外,都必須是揮發(fā)性的;
 
  3) 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。
 
  何為CVD管式爐?
 
  CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱,是指高溫下的氣相反應(yīng),例如,金屬鹵化物、有機(jī)金屬、碳?xì)浠衔锏鹊臒岱纸?,氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等無機(jī)材料的方法。這種技術(shù)zui初是作為涂層的手段而開發(fā)的,但目前,不只應(yīng)用于耐熱物質(zhì)的涂層,而且應(yīng)用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導(dǎo)體薄膜等,是一個(gè)頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域。
 
  其技術(shù)特征在于:⑴高熔點(diǎn)物質(zhì)能夠在低溫下合成;⑵析出物質(zhì)的形態(tài)在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種; ⑶不僅可以在基片上進(jìn)行涂層,而且可以在粉體表面涂層,等。特別是在低溫下可以合成高熔點(diǎn)物質(zhì),在節(jié)能方面做出了貢獻(xiàn),作為一種新技術(shù)是大有前途的。
 
  例如,在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC,而且正向更低溫度發(fā)展。
 
  工藝大體分為二種:一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進(jìn)行氣相反應(yīng);另一種是使加熱基體表面的原料氣體發(fā)生熱分解。
 
  裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應(yīng)部分和排除氣體處理部分所構(gòu)成。目前,正在開發(fā)批量生產(chǎn)的新裝置。
 
  CVD管式爐是在含有原料氣體、通過反應(yīng)產(chǎn)生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進(jìn)行的,因而,當(dāng)被覆涂層時(shí),在加熱基體與流體的邊界上形成擴(kuò)散層,該層的存在,對于涂層的致密度有很大影響。這樣,由許多化學(xué)分子形成的擴(kuò)散層雖然存在,但其析出過程是復(fù)雜的。粉體合成時(shí),核的生成與成長的控制是工藝的重點(diǎn)。
 
  作為新的CVD技術(shù),有以下幾種:
 
  ⑴采用流動(dòng)層的CVD;
 
 ?、屏黧w床;
 
 ?、菬峤馍淞?
 
  ⑷等離子體CVD;
 
 ?、烧婵誄VD,等。
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